Физический энциклопедический словарь - запирающий слой

где е — заряд эл-на,  — диэлектрич. проницаемость, U/к — контактная разность потенциалов, U — внеш. напряжение, n0 — концентрация эл-нов проводимости в n-области, р0 — концентрация дырок в р-области. Напр., для р — n-перехода в Si, где Uк=1В при n0=p010¹⁵, d=2 мкм. Для контакта металл — электронный ПП или металл — дырочный ПП d определяется по ф-ле (*), в к-рой положено p0<<n0 или p0>>n0.

• Б о н ч-Б р у е в и ч В. Л., Калашников С. Г., Физика полупроводников, М., 1977. Э. М. Эпштейн.